Обзор продукта
- номер части
- ERA-8APB9310V
- Производитель
- Panasonic Electronic Components
- Категория продукта
- Тонкопленочные резисторы
- Описание
- Thin Film Resistors - SMD 1206 931ohms 0.1% 0.25W 15ppm AEC-Q200
Документы и СМИ
- Спецификации
- ERA-8APB9310V
Атрибуты продукта
- Case Code - in :
- 1206
- Case Code - mm :
- 3216
- Maximum Operating Temperature :
- + 155 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Power Rating :
- 250 mW (1/4 W)
- Qualification :
- AEC-Q200
- Resistance :
- 931 Ohms
- Series :
- ERA-xA
- Temperature Coefficient :
- 15 PPM / C
- Tolerance :
- 0.1 %
- Voltage Rating :
- 150 V
Описание
Thin Film Resistors - SMD 1206 931ohms 0.1% 0.25W 15ppm AEC-Q200
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
FDMC6686P | onsemi / Fairchild | 3,157 | MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33 |
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | 694 | MOSFET GAN HV |
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | 578 | MOSFET GAN HV |
IQE013N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | 4,146 | MOSFET TRENCH <= 40V |
NTMFS015N15MC | onsemi | 2,385 | MOSFET PTNG 150V 15MOHM PQFN56 |
NTBGS004N10G | onsemi | 790 | MOSFET 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE |
STP180N10F3 | STMicroelectronics | 962 | MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET |
FDMS86181E | onsemi | 2,524 | MOSFET FET 100V 4.2 MOHM |
NTH4L045N065SC1 | onsemi | 350 | MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V |
NTMFS006N12MCT1G | onsemi | 1,439 | MOSFET PTNG 120V SG |
NTMFS006N08MC | onsemi | 2,871 | MOSFET 80V PTNG IN PQFN8 |
NTH4LN019N65S3H | onsemi | 450 | MOSFET SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4 |
STL36N55M5 | STMicroelectronics | 1,042 | MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5 |
IST007N04NM6AUMA1 | Infineon Technologies | 2,107 | MOSFET TRENCH <= 40V |
IQE013N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | 4,779 | MOSFET TRENCH <= 40V |