Обзор продукта
- номер части
- GBU6G-E3/51
- Производитель
- Vishay General Semiconductor
- Категория продукта
- Мостовые выпрямители
- Описание
- Bridge Rectifiers 400 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
Документы и СМИ
- Спецификации
- GBU6G-E3/51
Атрибуты продукта
- Height :
- 18.8 mm
- Length :
- 22.3 mm
- Max Surge Current :
- 175 A
- Maximum Operating Temperature :
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Mounting Style :
- SMD/SMT
- Package / Case :
- GBU
- Packaging :
- Bulk
- Peak Reverse Voltage :
- 400 V
- Termination Style :
- Through Hole
- Type :
- Single Phase Bridge
- Vf - Forward Voltage :
- 1 V
- Width :
- 3.56 mm
Описание
Bridge Rectifiers 400 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
NTPF360N65S3H | onsemi | 1,000 | MOSFET SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F |
PMPB07R0UNX | Nexperia | 2,990 | MOSFET PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M- |
SI3483DDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | 4,633 | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) |
IRL530PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 1,943 | MOSFET 100V N-CH HEXFET |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies | 263 | MOSFET TRENCH >=100V |
IRL510PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 850 | MOSFET 100V N-CH HEXFET |
IRFZ40PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 950 | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | 1,220 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
PXN6R7-30QLJ | Nexperia | 2,913 | MOSFET MOS DISCRETES |
IRFR110TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 3,410 | MOSFET 100V N-CH |
FCPF600N65S3R0L-F154 | onsemi | 1,000 | MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG |
NX5008NBKHH | Nexperia | 9,900 | MOSFET NX5008NBKH/SOT8001/DFN0606-3 |
NX138BKHH | Nexperia | 9,853 | MOSFET NX138BKH/SOT8001/DFN0606-3 |
SSM3K62TU,LXHF | Toshiba | 8,890 | MOSFET SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2 |
PMPB08R6ENX | Nexperia | 3,000 | MOSFET PMPB08R6EN/SOT1220-2/DFN2020M- |