Resumo do Produto
- Número da peça
- RN732ETTD6492B50
- Fabricante
- KOA Speer
- Categoria de Produto
- Resistores de filme fino
- Descrição
- Thin Film Resistors - SMD 1210 64K9 Ohms 0.1% 50PPM
Documentos e mídia
- Folhas de dados
- RN732ETTD6492B50
Atributos do produto
- Case Code - in :
- 1210
- Case Code - mm :
- 3225
- Maximum Operating Temperature :
- + 155 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Reel
- Power Rating :
- 250 mW (1/4 W)
- Resistance :
- 64.9 kOhms
- Series :
- RN73
- Temperature Coefficient :
- 50 PPM / C
- Tolerance :
- 0.1 %
- Voltage Rating :
- 200 V
Descrição
Thin Film Resistors - SMD 1210 64K9 Ohms 0.1% 50PPM
Preço e Aquisição
Produto Associado
Você também pode estar interessado em
Papel | Fabricante | Estoque | Descrição |
---|---|---|---|
MT49H32M18CSJ-18:B | Micron | 3,000 | DRAM RLDRAM 576M 32MX18 FBGA |
MT40A512M16LY-062E AAT:E TR | Micron | 3,000 | DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR | Micron | 3,000 | DRAM |
MT49H16M36SJ-18 IT:B | Micron | 3,000 | DRAM RLDRAM 576M 16MX36 FBGA |
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR | Micron | 3,000 | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP |
IS43QR16256B-083RBLI-TR | ISSI | 3,000 | DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R |
MT40A512M16LY-062E AUT:E TR | Micron | 3,000 | DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA |
MT41K256M16TW-093:P TR | Micron | 3,000 | DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA |
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR | Micron | 3,000 | DRAM LPDDR3 16G 512MX32 FBGA DDP |
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E | Micron | 3,000 | DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA AIT QDP |
MT53E1G32D2NP-046 WT:B | Micron | 3,000 | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP |
MT44K32M36RB-093E:A | Micron | 3,000 | DRAM RLDRAM 3 1.125G 32MX36 TBGA |
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E | Micron | 3,000 | DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA AAT QDP |
MT40A1G16KNR-075:E TR | Micron | 3,000 | DRAM DDR4 16G 1GX16 TFBGA |
MT40A1G8SA-075:E TR | Micron | 3,000 | DRAM DDR4 8G 1GX8 FBGA |