Resumo do Produto
- Número da peça
- APTGT75H60T3G
- Fabricante
- Microsemi / Microchip
- Categoria de Produto
- Módulos IGBT
- Descrição
- IGBT Modules DOR CC3019
Documentos e mídia
- Folhas de dados
- APTGT75H60T3G
Atributos do produto
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- 1.5 V
- Configuration :
- Full Bridge
- Continuous Collector Current at 25 C :
- 100 A
- Gate-Emitter Leakage Current :
- 600 nA
- Maximum Operating Temperature :
- + 100 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 40 C
- Package / Case :
- SP3-32
- Packaging :
- Tube
- Pd - Power Dissipation :
- 250 W
- Product :
- IGBT Silicon Modules
Descrição
IGBT Modules DOR CC3019
Preço e Aquisição
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5.73.110.028/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel on out |
5.73.110.023/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel hand 0 auto |
5.73.110.004/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel on |
5.73.110.105/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel off |
5.73.110.021/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel hand auto |
5.73.110.029/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel out on |
5.73.110.022/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel auto hand |
5.73.110.005/0000 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware RAFIX 22 QR Legendlabel out |
5.76204.1150400 | RAFI | 3,000 | Switch Hardware |