ST apresenta transistores MOSFET STPOWER de carbeto de silício (SiC) de terceira geração

Os dispositivos de energia de carboneto de silício (SiC) de última geração da ST mantêm sua liderança consistente com desempenho e confiabilidade aprimorados, tornando-os mais adequados para veículos elétricos e aplicações industriais com eficiência energética.

STMicroelectronics abraça o crescimento futuro, continua o investimento de longo prazo no mercado SiC

A STMicroelectronics (ST) lançou a terceira geração de transistores MOSFET STPOWER de carbeto de silício (SiC) "MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) são uma parte fundamental da eletrônica moderna. E em outros cenários onde alta densidade de potência, alta eficiência energética e alta confiabilidade são objetivos importantes.

disse Edoardo Merli, vice-presidente do Automotive and Discrete Product Group e gerente geral da Power Transistor Business Unit da STMicroelectronics.

Continuaremos a impulsionar essa tecnologia empolgante, inovando em nível de chip e pacote. Como fabricante de produtos SiC com controle total sobre a cadeia de suprimentos, somos capazes de fornecer aos nossos clientes produtos com desempenho cada vez maior. Continuamos a investir em projetos automotivos e industriais e esperamos atingir US$ 1 bilhão em receita de SiC até 2024.

A plataforma de tecnologia de carboneto de silício de terceira geração da ST já concluiu a certificação padrão, e espera-se que a maioria dos produtos derivados dessa plataforma de tecnologia atinjam a maturidade comercial até o final de 2021. Dispositivos com tensões nominais de 650V, 750V a 1200V continuarão disponíveis, dando aos projetistas mais opções para desenvolver aplicações que vão desde a saída de energia elétrica até fontes de alimentação de bateria e carregador de alta tensão para veículos elétricos. Os primeiros produtos disponíveis são o SCT040H65G3AG em 650V e o SCT160N75G3D8AG em 750V em forma de matriz nua.

Informações Técnicas de Referência

Os mais recentes MOSFETs planares da ST estabelecem uma nova referência de Figura de Mérito (FoM) para a indústria de transistores com uma nova plataforma de tecnologia SiC de terceira geração. O algoritmo FoM [On-Resistance (Ron) x Die Area e Ron x Gate Charge (Qg)] aceito pela indústria fornece uma indicação da eficiência energética de um transistor, densidade de potência e desempenho de comutação. É cada vez mais difícil melhorar o FoM com a tecnologia de silício comum, então a tecnologia SiC é a chave para melhorar ainda mais o FoM. Os produtos SiC de terceira geração da ST liderarão o caminho no transistor FoM.

Os MOSFETs SiC têm classificações de tensão de suporte mais altas por unidade de área do que os MOSFETs baseados em silício, tornando-os a melhor escolha para veículos elétricos e infraestrutura de carregamento rápido. O SiC também tem a vantagem de comutação de diodo parasita muito rápida e características de fluxo de corrente bidirecional de um carregador de bordo (OBC) de fonte de alimentação externa EV (V2X), que pode extrair energia da bateria de bordo para alimentar a infraestrutura. Além disso, a frequência de comutação extremamente alta dos transistores SiC abre a possibilidade de usar componentes passivos de menor tamanho em sistemas de potência, tornando os equipamentos elétricos em veículos mais compactos e leves. Essas vantagens do produto também ajudam a reduzir o custo de propriedade em aplicações industriais.

Os produtos de terceira geração da ST estão disponíveis em uma variedade de pacotes, incluindo chips, pacotes de energia discretos (STPAK, H2PAK-7L, HiP247-4L e HU3PAK) e séries de módulos de energia ACEPACK. Esses pacotes fornecem aos projetistas recursos inovadores, como aletas de resfriamento especialmente projetadas que simplificam a conexão chip-substrato e dissipadores de calor para aplicações em veículos elétricos, para que os projetistas possam escolher conversores On-chip (OBC) dedicados, DC/DC, compressores eletrônicos de ar condicionado , e aplicações industriais, como inversores solares, acionamentos de motores de sistemas de armazenamento de energia e fontes de alimentação.