ST presenta transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) STPOWER de tercera generación

Los dispositivos de alimentación de carburo de silicio (SiC) de última generación de ST mantienen su liderazgo constante con un rendimiento y una confiabilidad mejorados, lo que los hace más adecuados para vehículos eléctricos y aplicaciones industriales de eficiencia energética.

STMicroelectronics adopta el crecimiento futuro y continúa con la inversión a largo plazo en el mercado de SiC

STMicroelectronics (ST) ha lanzado la tercera generación de transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) STPOWER. Los MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal) son una parte fundamental de la electrónica moderna. Y en otros escenarios donde la alta densidad de potencia, la alta eficiencia energética y la alta confiabilidad son objetivos importantes.

dijo Edoardo Merli, vicepresidente del Grupo de Productos Discretos y Automotrices y gerente general de la Unidad de Negocios de Transistores de Potencia en STMicroelectronics.

Continuaremos impulsando esta emocionante tecnología, innovando a nivel de chips y paquetes. Como fabricante de productos de SiC con control total sobre la cadena de suministro, podemos ofrecer a nuestros clientes productos con un rendimiento cada vez mayor. Continuamos invirtiendo en proyectos automotrices e industriales y esperamos alcanzar $1 mil millones en ingresos de SiC para 2024.

La plataforma de tecnología de carburo de silicio de tercera generación de ST ahora ha completado la certificación estándar, y se espera que la mayoría de los productos derivados de esta plataforma de tecnología alcancen la madurez comercial a fines de 2021. Los dispositivos con voltajes nominales de 650 V, 750 V a 1200 V seguirán estando disponibles, brindando a los diseñadores más opciones para desarrollar aplicaciones que van desde la salida de energía de servicios públicos hasta fuentes de alimentación de batería y cargador de alto voltaje para vehículos eléctricos. Los primeros productos disponibles son el SCT040H65G3AG a 650 V y el SCT160N75G3D8AG a 750 V en forma de troquel desnudo.

Información técnica de referencia

Los últimos MOSFET planares de ST establecen un nuevo punto de referencia de Figura de mérito (FoM) para la industria de transistores con una nueva plataforma de tecnología SiC de tercera generación. El algoritmo FoM [On-Resistance (Ron) x Die Area and Ron x Gate Charge (Qg)] aceptado por la industria proporciona una indicación de la eficiencia energética, la densidad de potencia y el rendimiento de conmutación de un transistor. Cada vez es más difícil mejorar la FoM con la tecnología de silicio ordinaria, por lo que la tecnología SiC es la clave para mejorar aún más la FoM. Los productos de SiC de tercera generación de ST liderarán el camino en la FoM de transistores.

Los MOSFET de SiC tienen clasificaciones de voltaje soportado más altas por unidad de área que los MOSFET basados en silicio, lo que los convierte en la mejor opción para vehículos eléctricos e infraestructura de carga rápida. SiC también tiene la ventaja de la conmutación de diodos parásitos muy rápida y las características de flujo de corriente bidireccional de un cargador integrado (OBC) de fuente de alimentación externa EV (V2X), que puede extraer energía de la batería integrada para alimentar la infraestructura. Además, la frecuencia de conmutación extremadamente alta de los transistores de SiC abre la posibilidad de utilizar componentes pasivos de menor tamaño en los sistemas de potencia, lo que hace que los equipos eléctricos de los vehículos sean más compactos y ligeros. Estas ventajas del producto también ayudan a reducir el costo de propiedad en aplicaciones industriales.

Los productos de tercera generación de ST están disponibles en una variedad de paquetes que incluyen chips, paquetes de energía discretos (STPAK, H2PAK-7L, HiP247-4L y HU3PAK) y la serie ACEPACK de módulos de energía. Estos paquetes brindan a los diseñadores características innovadoras, como aletas de enfriamiento especialmente diseñadas que simplifican la conexión de chip a sustrato y disipadores de calor para aplicaciones de vehículos eléctricos para que los diseñadores puedan elegir convertidores de CC/CC en chip (OBC) dedicados, compresores electrónicos de aire acondicionado y aplicaciones industriales como inversores solares, sistemas de almacenamiento de energía, motores y fuentes de alimentación.