ST stellt die dritte Generation von STPOWER Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Transistoren vor

Die Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) der neuesten Generation von ST behalten ihre beständige Führungsposition mit verbesserter Leistung und Zuverlässigkeit, wodurch sie sich besser für Elektrofahrzeuge und energieeffiziente Industrieanwendungen eignen.

STMicroelectronics setzt auf zukünftiges Wachstum und setzt langfristige Investitionen in den SiC-Markt fort

STMicroelectronics (ST) hat die dritte Generation von STPOWER-MOSFET-Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt gebracht. „MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind ein grundlegender Bestandteil moderner Elektronik. Und in anderen Szenarien, in denen hohe Leistungsdichte, hohe Energieeffizienz und hohe Zuverlässigkeit wichtige Ziele sind.

sagte Edoardo Merli, Vice President der Automotive and Discrete Product Group und General Manager der Power Transistor Business Unit bei STMicroelectronics.

Wir werden diese aufregende Technologie weiter vorantreiben und auf Chip- und Gehäuseebene innovativ sein. Als Hersteller von SiC-Produkten mit voller Kontrolle über die Lieferkette sind wir in der Lage, unseren Kunden Produkte mit immer höherer Leistung anzubieten. Wir investieren weiterhin in Automobil- und Industrieprojekte und gehen davon aus, bis 2024 einen SiC-Umsatz von 1 Milliarde US-Dollar zu erreichen.

Die Siliziumkarbid-Technologieplattform der dritten Generation von ST hat jetzt die Standardzertifizierung abgeschlossen, und die meisten von dieser Technologieplattform abgeleiteten Produkte werden voraussichtlich bis Ende 2021 die kommerzielle Reife erreichen. Bauelemente mit Nennspannungen von 650 V, 750 V bis 1200 V werden weiterhin verfügbar sein, was Designern mehr Möglichkeiten bietet, Anwendungen zu entwickeln, die von der Netzleistung bis hin zu Hochspannungsbatterien und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge reichen. Die ersten verfügbaren Produkte sind der SCT040H65G3AG mit 650 V und der SCT160N75G3D8AG mit 750 V in Bare-Die-Form.

Referenz Technische Informationen

Die neuesten planaren MOSFETs von ST setzen mit einer neuen SiC-Technologieplattform der dritten Generation einen neuen Maßstab für die Gütezahl (FoM) für die Transistorindustrie. Der branchenweit anerkannte FoM-Algorithmus [Einschaltwiderstand (Ron) x Die-Fläche und Ron x Gate-Ladung (Qg)] liefert einen Hinweis auf die Energieeffizienz, Leistungsdichte und Schaltleistung eines Transistors. Es wird immer schwieriger, FoM mit herkömmlicher Siliziumtechnologie zu verbessern, daher ist die SiC-Technologie der Schlüssel zur weiteren Verbesserung von FoM. Die SiC-Produkte der dritten Generation von ST werden bei Transistor-FoM führend sein.

SiC-MOSFETs haben eine höhere Spannungsfestigkeit pro Flächeneinheit als siliziumbasierte MOSFETs, was sie zur besten Wahl für Elektrofahrzeuge und Schnellladeinfrastruktur macht. SiC hat auch den Vorteil eines sehr schnellen parasitären Diodenschaltens und bidirektionaler Stromflusseigenschaften eines EV-On-Board-Ladegeräts (OBC) mit externer Stromversorgung (V2X), das Strom aus der Bordbatterie ziehen kann, um die Infrastruktur mit Strom zu versorgen. Darüber hinaus eröffnet die extrem hohe Schaltfrequenz von SiC-Transistoren die Möglichkeit, kleinere passive Komponenten in Stromversorgungssystemen zu verwenden, wodurch elektrische Geräte in Fahrzeugen kompakter und leichter werden. Diese Produktvorteile tragen auch dazu bei, die Betriebskosten in industriellen Anwendungen zu senken.

Die Produkte der dritten Generation von ST sind in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, darunter Chips, diskrete Leistungspakete (STPAK, H2PAK-7L, HiP247-4L und HU3PAK) und Leistungsmodule der ACEPACK-Serie. Diese Gehäuse bieten Designern innovative Funktionen wie speziell entworfene Kühlrippen, die die Chip-zu-Substrat-Verbindung und Kühlkörper für Elektrofahrzeuganwendungen vereinfachen, sodass Designer dedizierte On-Chip (OBC), DC/DC-Wandler und elektronische Klimakompressoren auswählen können und industrielle Anwendungen wie Solarwechselrichter, Motorantriebe für Energiespeichersysteme und Stromversorgungen.