ST推出第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET晶体管

ST 最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件提高了性能和可靠性，保持了其一贯的领先地位，使其更适合电动汽车和节能工业应用.

意法半导体迎接未来增长，继续对 SiC 市场进行长期投资

意法半导体（ST）推出第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET晶体管“MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子产品的基本组成部分。推进电动汽车动力总成功率器件的前沿应用，以及在其他以高功率密度、高能效和高可靠性为重要目标的场景中。

意法半导体汽车和分立器件产品组副总裁兼功率晶体管业务部总经理 Edoardo Merli 表示。

我们将继续推动这一激动人心的技术发展，在芯片和封装层面进行创新。作为一家完全控制供应链的 SiC 产品制造商，我们能够为客户提供性能不断提高的产品。我们不断投资于汽车和工业项目，预计到 2024 年 SiC 收入将达到 10 亿美元。

意法半导体第三代碳化硅技术平台现已完成标准认证，该技术平台衍生的大部分产品预计将在2021年底达到商用成熟度。标称电压为650V、750V至1200V的器件将陆续上市，提供设计人员有更多选择来开发应用，从公用电源输出到电动汽车的高压电池和充电器电源。首批可用的产品是裸片形式的 650V 的 SCT040H65G3AG 和 750V 的 SCT160N75G3D8AG。

参考技术信息

ST 最新的平面 MOSFET 凭借全新的第三代 SiC 技术平台为晶体管行业树立了新的品质因数 (FoM) 基准。业界公认的 FoM [导通电阻 (Ron) x 芯片面积和 Ron x 栅极电荷 (Qg)] 算法可指示晶体管的能量效率、功率密度和开关性能。用普通硅技术提高 FoM 难度越来越大，因此 SiC 技术是进一步提高 FoM 的关键。ST的第三代SiC产品将引领晶体管FoM的进步。

SiC MOSFET 比硅基 MOSFET 具有更高的单位面积耐受电压额定值，使其成为电动汽车和快速充电基础设施的最佳选择。SiC 还具有非常快速的寄生二极管开关和电动汽车外部电源 (V2X) 车载充电器 (OBC) 的双向电流流动特性的优势，它可以从车载电池中汲取电力来为基础设施供电。此外，碳化硅晶体管的极高开关频率为在电力系统中使用更小尺寸的无源器件提供了可能性，从而使车辆中的电气设备更加紧凑和轻量化。这些产品优势还有助于降低工业应用中的拥有成本。

ST 的第三代产品提供多种封装，包括芯片、分立电源封装（STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L 和 HU3PAK）和 ACEPACK 系列的电源模块。这些封装为设计人员提供了创新功能，例如专门设计的冷却片，可简化芯片与基板的连接以及电动汽车应用的散热器，以便设计人员可以根据功率电机逆变器、车载充电器等应用选择专用芯片(OBC)、DC/DC 转换器、电子空调压缩机以及太阳能逆变器、储能系统电机驱动器和电源等工业应用。